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低能碳离子束沉积(111)织构的立方SiC薄膜
  • ISSN号：0253-4177
  • 期刊名称：半导体学报
  • 时间：0
  • 页码：576-581
  • 语言：中文
  • 相关项目：GaN与ZnO异质外延中的Si基协变超薄中间层研究
作者： 陈诺夫|侯哲哲|刘志凯|尹志刚|柴春林|马辉|杨霏|杨少延|张兴旺|
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