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对称三材料双栅应变硅金属氧化物半导体场效应晶体管二维解析模型
  • ISSN号：1000-3290
  • 期刊名称：《物理学报》
  • 时间：0
  • 分类：TN386.1[电子电信—物理电子学] TP332[自动化与计算机技术—计算机系统结构;自动化与计算机技术—计算机科学与技术]
  • 作者机构：Key Laboratory for Wide Band Gap Semiconductor Materialand Devices of Education, School of Microelectronics,Xidian University, Xi'an 710071, China
  • 相关基金：This work is supported by the Project of National Natural Science Foundation of China （Grant Nos. 61376099, 11235008, 61434007） and the Specialized Research Fund for the Doctoral Program of High Education （Grant No. 20130203130002）.Acknowledgments The authors are grateful to Dr.YaoZhi-Binand Dr.HeBao-Ping at the Northwest Institute of Nuclear Technology,who provided help in setting up 60^Co Source Facility.
作者： 辛艳辉[1,2], 刘红侠[1], 王树龙[1], 范小娇[1]
关键词： 阈值电压漂移, 总剂量辐照, NMOS器件, SOI, 金属氧化物半导体场效应晶体管, H型, 低剂量率, 分离技术, Silicon on insulator （SOI） , Threshold voltage , Dose rate effects Interface states
中文摘要：

Hong-XiaLiu hxliu@mail.xidian.edu.cn

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期刊信息
  • 《物理学报》
  • 北大核心期刊（2011版）
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会 中国科学院物理研究所
  • 主编：欧阳钟灿
  • 地址：北京603信箱(中国科学院物理研究所)
  • 邮编：100190
  • 邮箱：apsoffice@iphy.ac.cn
  • 电话：010-82649026
  • 国际标准刊号：ISSN：1000-3290
  • 国内统一刊号：ISSN：11-1958/O4
  • 邮发代号:2-425
  • 获奖情况:
  • 1999年首届国家期刊奖,2000年中科院优秀期刊特等奖,2001年科技期刊最高方阵队双高期刊居中国期刊第12位
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国科学引文索引（扩展库）,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:49876