位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
GaN和GaN：Mg外延膜低温拉曼谱的对比研究
  • ISSN号：1004-5929
  • 期刊名称：《光散射学报》
  • 时间：0
  • 分类：O614.31[理学—无机化学;理学—化学]
  • 作者机构：[1]Department of Applied Physics, Xi'an Jiaotong University, Xi'an 710049, China
  • 相关基金：Project supported by the National Natural Science Foundation of China （Grant No 10474078）. Acknowledgement Thanks for the Intelligent Information Process and Calculation Laboratory of Science School in Xi＇an Jiaotong University providing us the computing condition.
作者： 王瑞敏[1], 陈光德[1]
关键词： 铝, 氮化物, 密度, 能量, aluminium nitride, density of states, defect state, formation energy
中文摘要：

Corresponding author. E-mail： yehonggang@stu.xjtu.edu.cn

同期刊论文项目
InxGa1-xN半导体材料的发光机理研究
期刊论文 41 会议论文 2
同项目期刊论文
Asymmetry of adsorption of oxy
MOCVD生长的GaN和GaN∶Mg薄膜的
六方单晶氮化铝薄膜的合成与紫外
Micro-raman scattering study o
Different Luminescence Behavio
MOCVD 生长InGaN合金发光特性研
激光分子束外延方法生长的ZnO 薄
First principle study of nitro
磷化铟纳米晶的制备及光学性质研
Analysis of three coupled defe
Temperature Dependent Raman Sc
氮化铝薄膜的光学性能
GaN和GaN:Mg外延膜低温拉曼谱的
Solid-state metasynthesis and
The growth mechanism of monocr
Band-gap bowing coefficients i
Instantaneous relaxation of ph
Synthesis of monocrystal alumi
First principle study of the n
Synthesis of hexagonal monocry
Study of the technique of 4-fa
MOCVD生长InGaN合金的表面形貌与光学性质研究
纳米六方相氮化铝的合成和光学性能研究
ZnO薄膜表面和边缘的发光特性
激光分子束外延方法生长的ZnO薄膜的发光特性
MOVPE生长的InGaN/GaN单量子阱的光致发光和光吸收特性
MOCVD生长InxGa1-xN合金微观结构和光学特性
纯六方相氮化铝泡沫材料的合成
InGaN薄膜的紫外共振喇曼散射
蓝宝石邻晶面衬底MBE生长GaN薄膜的瞬态光电导弛豫特性研究
六方AlN本征缺陷的第一性原理研究
低温条件下单晶氮化铝纳米线生长机理的研究
六方相InGaN外延膜的显微Raman散射
氮化铝纳米线的气–固法制备及光学性能
六方氮化铝纳米线本征缺陷和氧杂质的光致发光谱研究
GaN/AlN半导体异质结带阶超原胞法计算
六方单晶氮化铝薄膜的合成与紫光发光机理
期刊信息
  • 《光散射学报》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:四川省科学技术协会
  • 主办单位:中国物理学会光散射专业委员会 四川省物理学会
  • 主编：李灿
  • 地址：四川省成都四川大学物理科学与技术学院
  • 邮编：610064
  • 邮箱：
  • 电话：028-85418067
  • 国际标准刊号：ISSN：1004-5929
  • 国内统一刊号：ISSN：51-1395/O4
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 曾为Caj-cd规范获奖期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）
  • 被引量:2405