位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
MOCVD 生长InGaN合金发光特性研
  • 期刊名称：发光学报 26(5):602-606,2005
  • 时间：0
  • 相关项目：InxGa1-xN半导体材料的发光机理研究
作者： 竹有章，陈光德，谢伦军
同期刊论文项目
InxGa1-xN半导体材料的发光机理研究
期刊论文 41 会议论文 2
同项目期刊论文
Asymmetry of adsorption of oxy
MOCVD生长的GaN和GaN∶Mg薄膜的
六方单晶氮化铝薄膜的合成与紫外
Micro-raman scattering study o
Different Luminescence Behavio
激光分子束外延方法生长的ZnO 薄
First principle study of nitro
磷化铟纳米晶的制备及光学性质研
Analysis of three coupled defe
Temperature Dependent Raman Sc
氮化铝薄膜的光学性能
GaN和GaN:Mg外延膜低温拉曼谱的
Solid-state metasynthesis and
The growth mechanism of monocr
Band-gap bowing coefficients i
Instantaneous relaxation of ph
Synthesis of monocrystal alumi
First principle study of the n
Synthesis of hexagonal monocry
Study of the technique of 4-fa
MOCVD生长InGaN合金的表面形貌与光学性质研究
纳米六方相氮化铝的合成和光学性能研究
ZnO薄膜表面和边缘的发光特性
激光分子束外延方法生长的ZnO薄膜的发光特性
MOVPE生长的InGaN/GaN单量子阱的光致发光和光吸收特性
MOCVD生长InxGa1-xN合金微观结构和光学特性
纯六方相氮化铝泡沫材料的合成
InGaN薄膜的紫外共振喇曼散射
蓝宝石邻晶面衬底MBE生长GaN薄膜的瞬态光电导弛豫特性研究
六方AlN本征缺陷的第一性原理研究
低温条件下单晶氮化铝纳米线生长机理的研究
六方相InGaN外延膜的显微Raman散射
氮化铝纳米线的气–固法制备及光学性能
六方氮化铝纳米线本征缺陷和氧杂质的光致发光谱研究
GaN/AlN半导体异质结带阶超原胞法计算
六方单晶氮化铝薄膜的合成与紫光发光机理
GaN和GaN：Mg外延膜低温拉曼谱的对比研究