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MBE自组装量子点生长和结构形态研究（续）
  • ISSN号：1671-4776
  • 期刊名称：《微纳电子技术》
  • 时间：0
  • 分类：TN311.7[电子电信—物理电子学] S646.19[农业科学—蔬菜学;农业科学—园艺学]
  • 作者机构：[1]中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京100083, [2]中国科学院半导体研究所半导体材料中心,北京100083, [3]中国科学院半导体研究所白光中心,北京100083
  • 相关基金：国家自然科学基金资助项目（60676029）;973项目（2006CB604904,2006CB604908）
作者： 吴巨[1], 金鹏[1], 吕小晶[1], 王占国[1], 曾一平[2], 王宝强[2], 姚然[3]
关键词： 自组装量子点, 生长条件, 结构形态, InAs/GaAs, InAs量子点, MBE, GaAs(001), 平衡形态
中文摘要：

3．2 InAs／GaAs（001） 与Ge／Si量子点实验研究结果的普适性和简单性相比，InAs／GaAs的情况要复杂得多，对生长条件的敏感性也要高许多。G．Constantini等人提出对Ge／Si体系的观察结果也同样适用于InAs／GaAs，但是他们的InAs量子点生长是以在500℃、0．008ML／s的速率进行的。以这种慢速率生长的InAs量子点体系有大小两种形态（据称大量子点形态是热力学平衡形态），这是在实际应用中不希望出现的。

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期刊信息
  • 《微纳电子技术》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国电子科技集团公司
  • 主办单位:中国电子科技集团公司第十三研究所
  • 主编：李和委
  • 地址：石家庄市179信箱46分箱
  • 邮编：050002
  • 邮箱：wndz@vip.sina.com
  • 电话：0311-87091487
  • 国际标准刊号：ISSN：1671-4776
  • 国内统一刊号：ISSN：13-1314/TN
  • 邮发代号:18-60
  • 获奖情况:
  • 2002-2003和2003-2004年度，均获信息产业部电子科...,2005-2006年度获信息产业部电子科技期刊学术技术...,中国学术期刊执行（光盘版）检索与评价数据规范优...,2007-2008年度又荣获工业和信息化部电子科技期刊...
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）
  • 被引量:3327