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InAs/GaAs量子点光致发光光谱多峰结构发光本质
  • ISSN号：1674-4926
  • 期刊名称：《半导体学报：英文版》
  • 时间：0
  • 分类：TN304.23[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：[1]中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京100083
  • 相关基金：国家重点基础研究发展计划（批准号：2006CB604904）和国家自然科学基金（批准号：60776037,60676029）资助项目
作者： 梁志梅[1], 吴巨[1], 金鹏[1], 吕雪芹[1], 王占国[1]
关键词： 量子点, 多峰结构, 能级结构, 光致发光, quantum dots, multi-peak structure, energy-level structure, photoluminescence
中文摘要：

研究了InAs/GaAs量子点光致发光光谱中出现的多峰结构.观察到随着激发功率的增加光谱中发光峰的数目逐渐增多并且部分发光峰的峰位随激发功率的增加向高能量方向移动.解释了各发光峰的来源并结合量子点能级结构的特点,计算了量子点中电子和空穴各子带间的能级间距.

英文摘要：

Multi-peak structures in photoluminescence spectra of InAs/GaAs quantum dots are investigated. Excitation power-dependent photoluminescence spectra are used to identify the nature of different peaks. By combining experimental results and an energy-level structure analysis,origins of the multi-peaks are identified. Furthermore,inter-subband spacing of electrons and holes are deduced.

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期刊信息
  • 《半导体学报：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国电子学会 中国科学院半导体研究所
  • 主编：李树深
  • 地址：北京912信箱
  • 邮编：100083
  • 邮箱：cjs@semi.ac.cn
  • 电话：010-82304277
  • 国际标准刊号：ISSN：1674-4926
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5781/TN
  • 邮发代号:2-184
  • 获奖情况:
  • 90年获中科院优秀期刊二等奖,92年获国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署...,97年国家科委、中共中央中宣传部和国家新出版署三等奖,中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,英国英国皇家化学学会文摘,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:7754