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Influence of the SiO2 gate insulator thinness to the performance and Bias –voltage stress stability
  • 期刊名称:J. Optoelectronics and Advanced materials
  • 时间:2011.7.7
  • 页码:797-801
  • 相关项目:微晶硅TFT-OLED的若干基础问题的研究
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