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Enhancement of light-emission efficiency of ultraviolet InGaN/GaN multiple quantum well light emitti
  • ISSN号:0947-8396
  • 期刊名称:Applied Physics A-Materials Science & Processi
  • 时间:2012.9.9
  • 页码:771-776
  • 相关项目:InGaN调制量子阱结构和性质
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