欢迎您!
东篱公司
退出
申报数据库
申报指南
立项数据库
成果数据库
期刊论文
会议论文
著 作
专 利
项目获奖数据库
位置:
成果数据库
>
期刊
> 期刊详情页
CdZnTe晶体中微米级富Te相与PL谱的对应关系
ISSN号:1000-324X
期刊名称:Wuji Cailiao Xuebao/journal of Inorganic Materials
时间:0
页码:359-363
相关项目:大尺寸室温辐射探测器用CdZnTe晶体生长研究
作者:
徐亚东|介万奇|王涛|俞鹏飞|杜园园|何亦辉|
同期刊论文项目
大尺寸室温辐射探测器用CdZnTe晶体生长研究
期刊论文 34
专利 7
同项目期刊论文
Size and distribution of Te inclusions in detector-grade CdZnTe ingots
Morphology evolution of micron-scale secondary phases in CdZnTe crystals grown by vertical Bridgman
Defects in CdMnTe crystals for nuclear detector applications
CdZnTe晶体光致发光谱“负热淬灭”现象研究
室温辐射探测器用CdZnTe晶体生长及其器件制备
Concentration of extended defects in CdZnTe single crystals: Effects of cooling rate after growth
Te溶剂-Bridgman法Cd_(0.9)Mn_(0.1)Te晶体生长习性研究
CdZnTe薄膜的CdCl_2退火及性能表征
Detector-grade CdZnTe:In crystals obtained by annealing
Vertical Bridgman growth and characterization of CdMnTe crystals for gamma-ray radiation detector
Optical property analysis of CZT:In single crystals after annealing by a two-step method
室温核辐射CdZnTe像素探测器的研制
Improvement of the quality of indium-doped CdZnTe single crystals by post-growth annealing for radia
CdZnTe晶体光致发光谱“负热淬灭”现象研究
富Te条件下CdTe晶体中的点缺陷研究
移动加热器法生长CZT晶体的成分及缺陷均匀性研究
温度对CdZnTe载流子输运特性和能谱特性的影响
Solution growth of In-doped CdMnTe crystals by the vertical Bridgman method with the ACRT technique
热激电流谱确定CZT:In中的陷阱能级(英文)
采用低温PL谱研究探测器级CdZnTe晶体
二维层状GaTe的晶体结构研究
Ar和H2气氛退火CdZnTe表面的XPS研究
非催化剂法制备ZnO纳米线阵列的近带边高分辨变温光致发光性能研究
CSS法制备CdZnTe薄膜时衬底温度的影响规律
探测器级CdZnTe晶体变温特性研究
控制降温对近空间升华法沉积CdZnTe薄膜形貌与结构的影响
期刊信息
《无机材料学报》
北大核心期刊(2011版)
主管单位:中国科学院
主办单位:中国科学院上海硅酸盐所
主编:郭景坤
地址:上海市定西路1295号
邮编:200050
邮箱:wjclxb@mail.sic.ac.cn
电话:021-52411302
国际标准刊号:ISSN:1000-324X
国内统一刊号:ISSN:31-1363/TQ
邮发代号:4-504
获奖情况:
获"中国百种杰出学术期刊"称号
国内外数据库收录:
美国化学文摘(网络版),荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,美国科学引文索引(扩展库),日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),瑞典开放获取期刊指南,中国北大核心期刊(2000版)
被引量:21274