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热激电流谱确定CZT:In中的陷阱能级(英文)
  • ISSN号：1003-6326
  • 期刊名称：《中国有色金属学报：英文版》
  • 时间：0
  • 分类：TG146[金属学及工艺—金属材料;一般工业技术—材料科学与工程;金属学及工艺—金属学]
  • 作者机构：[1]西北工业大学材料科学与工程学院学院凝固技术国家重点实验室, [2]上海交通大学物理系人工结构及量子调控教育部重点实验室, [3]空军工程大学理学院
  • 相关基金：Projects (61274081, 50902113, 50902114) supported by the National Natural Science Foundation of China;Project (2011CB610406) supported by the National Basic Research Program of China;Project (B08040) supported by the 111 Project of China;Project (JC20100228) supported by Foundation for Fundamental Research of Northwestern Polytechnical University (NPU), China;Project (SKLSP201012) supported by the Research Fund of the State Key Laboratory of Solidification Processing (NPU), China
作者： 南瑞华[1], 介万奇[1], 查钢强[1], 白旭旭[2], 王蓓[3], 于晖[1]
关键词： Cd1-xZnxTe, 陷获, 深能级, 热激电流谱, Cd1-xZnxTe, trapping, deep levels, thermally stimulated current spectroscopy
中文摘要：

熔体法生长的半绝缘碲锌镉(Cd1-xZnxTe 或者CZT)晶体中存在着很多缺陷,这些缺陷作为陷获中心在带隙中引入了深能级,从而严重影响 CZT 的探测性能。分别采用初始上升法和同步多峰分析法(SIMPA)分析热激电流谱(TSC),从而获得了半绝缘的铟掺杂的Cd0.9Zn0.1Te晶体中的陷阱能级分布。结果表明:由于重叠峰的干扰,初始上升法在确定陷阱峰的最大值时会产生较大的误差;而 SIMPA法被证实适用于分离重叠峰,可同步获得较全面的陷阱能级分布。基于此,获得了半绝缘 CZT:In晶体的缺陷能级分布结果,即包含十个陷阱能级和一个影响暗电流分布的深施主能级 EDD。此外,通过EDD能级与费米能级的关系,解释了CZT:In晶体获得高阻特性的原因。

英文摘要：

熔体法生长的半绝缘碲锌镉(Cd1-xZnxTe 或者CZT)晶体中存在着很多缺陷,这些缺陷作为陷获中心在带隙中引入了深能级,从而严重影响 CZT 的探测性能。分别采用初始上升法和同步多峰分析法(SIMPA)分析热激电流谱(TSC),从而获得了半绝缘的铟掺杂的Cd0.9Zn0.1Te晶体中的陷阱能级分布。结果表明:由于重叠峰的干扰,初始上升法在确定陷阱峰的最大值时会产生较大的误差;而 SIMPA法被证实适用于分离重叠峰,可同步获得较全面的陷阱能级分布。基于此,获得了半绝缘 CZT:In晶体的缺陷能级分布结果,即包含十个陷阱能级和一个影响暗电流分布的深施主能级 EDD。此外,通过EDD能级与费米能级的关系,解释了CZT:In晶体获得高阻特性的原因。

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期刊信息
  • 《中国有色金属学报：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学技术协会
  • 主办单位:中国有色金属学会
  • 主编：黄伯云
  • 地址：中国长沙中南大学
  • 邮编：410083
  • 邮箱：f-xsxb@csu.edu.cn
  • 电话：0731-88830949
  • 国际标准刊号：ISSN：1003-6326
  • 国内统一刊号：ISSN：43-1239/TG
  • 邮发代号:42-317
  • 获奖情况:
  • 国家“双百”期刊,第二届全国优秀科技期刊评比二等奖,中国有色金属工业总公司优秀科技期刊一等奖
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,美国科学引文索引（扩展库）,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊
  • 被引量:1159