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热退火对 InGaN薄膜性质的影响
  • ISSN号：1674-4926
  • 期刊名称：《半导体学报：英文版》
  • 时间：0
  • 分类：TN304.2+6[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：[1]南京大学物理系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093 南京大学物理系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093 南京大学物理系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093 南京大学物理系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093 南京大学物理系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093 南京大学物理系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093 南京大学物理系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093 南京大学物理系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093
  • 相关基金：国家自然科学基金(批准号:60476030),国家高技术研究发展计划(批准号:2003AA311060)和江苏省自然科学基金(批准号:BK2003203)资助项目
作者： 文博[1], 江若琏[1], 刘成祥[1], 谢自力[1], 周建军[1], 韩平[1], 张荣[1], 郑有炓[1]
关键词： INGAN, 热退火, 散射机制
中文摘要：

对采用金属有机化学气相沉积方法生长的In组分为0.14的InGaN薄膜在不同温度下进行了热退火处理.通过X射线衍射、原子力显微镜、光致发光谱和变温霍尔等测试方法研究了In0.14Ga0.86N薄膜的晶格质量、表面形貌以及光学特性和电学特性随着退火温度的变化情况.结果表明,有利于提高In0.14Ga0.86N薄膜质量的最佳退火温度为500℃.通过对变温霍尔实验数据的拟合,初步分析了退火前后InGaN样品中的多种散射机制以及它们的变化情况.

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期刊信息
  • 《半导体学报：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国电子学会 中国科学院半导体研究所
  • 主编：李树深
  • 地址：北京912信箱
  • 邮编：100083
  • 邮箱：cjs@semi.ac.cn
  • 电话：010-82304277
  • 国际标准刊号：ISSN：1674-4926
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5781/TN
  • 邮发代号:2-184
  • 获奖情况:
  • 90年获中科院优秀期刊二等奖,92年获国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署...,97年国家科委、中共中央中宣传部和国家新出版署三等奖,中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,英国英国皇家化学学会文摘,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:7754