位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
Numerical simulation of single-event-transient effects on ultra-thin-body fully-depleted silicon-on-
  • ISSN号：1000-3290
  • 期刊名称：Acta Physica Sinica
  • 时间：2013.10
  • 页码：-
  • 相关项目：面向空间应用深亚微米SOI集成器件辐照损伤机理研究
作者： Bi Jin-Shun|Liu Gang|Luo Jia-Jun|Han Zheng-Sheng|
同期刊论文项目
面向空间应用深亚微米SOI集成器件辐照损伤机理研究
期刊论文 18 会议论文 18
同项目期刊论文
深亚微米SOI射频LDMOS功率特性研究
基于PDSOI单粒子翻转物理机制的SPICE模型研究
H型栅结构的亚微米PDSOI MOS器件的跨导双峰效应研究
核反应影响半导体器件单粒子翻转的Geant4仿真
Study on power characteristics of deep sub-micron SOI RF LDMOS
Hf/HfO2基双极阻变存储器研究
0.18微米PDSOI MOSFET激光单粒子瞬态研究
一种面积有效的抗SEU锁存器设计研究
基于Geant4的三维半导体器件单粒子效应仿真
Characteristics of HfO2/Hf-based bipolar resistive memories
Transconductance bimodal effect of PDSOI submicron H-gate MOSFETs
0.18μm部分耗尽绝缘体上硅互补金属氧化物半导体电路单粒子瞬态特性研究
22 nm工艺超薄体全耗尽绝缘体上硅晶体管单粒子瞬态效应研究
DCIV技术表征MOS/SOI界面陷阱能级密度分布
DCIV技术提取SOI器件前栅界面与背界面态密度
期刊信息
  • 《物理学报》
  • 北大核心期刊（2011版）
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会 中国科学院物理研究所
  • 主编：欧阳钟灿
  • 地址：北京603信箱(中国科学院物理研究所)
  • 邮编：100190
  • 邮箱：apsoffice@iphy.ac.cn
  • 电话：010-82649026
  • 国际标准刊号：ISSN：1000-3290
  • 国内统一刊号：ISSN：11-1958/O4
  • 邮发代号:2-425
  • 获奖情况:
  • 1999年首届国家期刊奖,2000年中科院优秀期刊特等奖,2001年科技期刊最高方阵队双高期刊居中国期刊第12位
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国科学引文索引（扩展库）,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:49876