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DCIV技术提取SOI器件前栅界面与背界面态密度
  • ISSN号：1000-7180
  • 期刊名称：《微电子学与计算机》
  • 时间：0
  • 分类：TN386[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：[1]中国科学院微电子研究所, [2]辽宁大学
  • 相关基金：国家自然科学基金项目(11179003,61176095)
作者： 赵洪利[1,2], 高林春[1], 曾传滨[1], 刘魁勇[2], 罗家俊[1], 韩郑生[1]
关键词： DCIV方法, SOI, NMOS器件, 前栅界面与背界面, 界面态面密度, 等效能级
中文摘要：

直流电流电压(DCIV)方法不仅可以提取SOI器件前栅沟道界面态密度,也可应用于背界面态密度的提取.给出了具体的测试步骤与方法,以0.13μm SOI工艺制造的NMOS器件为测试对象,对前栅界面与背界面分别进行了测试.基于DCIV理论,将实验得到的界面复合电流值与理论公式做最小二乘拟合,不仅获得了各界面态密度,也得到界面态密度所在的等效能级.结果表明,采用了智能剥离技术制备的SOI NMOS器件背界面态密度量级为1010cm-2,前栅界面的态密度小于背界面的,量级为109cm-2,并给出了两界面态面密度所在的等效能级.

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期刊信息
  • 《微电子学与计算机》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国航天科技集团公司
  • 主办单位:中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所
  • 主编：李新龙
  • 地址：西安市雁塔区太白南路198号
  • 邮编：710065
  • 邮箱：mc771@163.com
  • 电话：029-82262687
  • 国际标准刊号：ISSN：1000-7180
  • 国内统一刊号：ISSN：61-1123/TN
  • 邮发代号:52-16
  • 获奖情况:
  • 航天优秀期刊,陕西省优秀期刊一等奖
  • 国内外数据库收录:
  • 荷兰文摘与引文数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:17909