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纤锌矿结构ZnO中定位Ga-N共掺杂
  • 期刊名称：发光学报 27（６）,917-921（2006）.
  • 时间：0
  • 相关项目：氧化锌基单晶薄膜材料、物性及器件研究
作者： 周昌杰、康俊勇*
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High-spatial-resolution strain
Synthesis and luminescnece pro
Method of control of nitrogen
Effects of thermal annealing o
Preparation of ZnO colloids by
P-type ZnO thin films prepared
Investigation of growth mode i
Effects of nitrogen doping and
Investigation of ultravition l
Growth and properties of ZnO n
Modulation of band structure i
Photoluminescence and Raman be
Growth temperature controlled
Magnetism origin of Mn-doped Z
n0.76Mg0.24O homojunction phot
Phase transition of ultrathin
F-doping effects on electrical
Control of structure,Conductio
Enhanced Ultraviolet Emission
Excitonic properties of vertic
Optical properties of ZnO fabr
Room temperature excitonic spo
Nitrogen partial pressure-depe
P-type conductivity and stabil
Crystalline quality of the ZnO
A thermally activated excition
The photpluminescence propert
Structure and Photoluminescenc
Ultraviolet Emission of ZnO Pr
A contral on the photoluminesc
Growth of vertically aligned s
Formation and luminescence of
Ultraviolt photodetective dete
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A high-speed photoconductive U
Growth of well-aligned ZnO nan
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