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CdMoO4:W6+晶体电子结构的模拟计算研究
  • ISSN号：1000-985X
  • 期刊名称：《人工晶体学报》
  • 时间：0
  • 分类：O76[理学—晶体学]
  • 作者机构：上海理工大学理学院
  • 相关基金：沪江基金研究基地专项资助(B14004)
作者： 严非男, 王希恩, 陈俊
关键词： CdMoO4:W6+晶体, DV-Xα, 发射带
中文摘要：

采用基于密度泛函理论的嵌入团簇离散变分方法,计算了CdMoO4:W6+晶体的电子结构。计算结果显示,在CdMoO4:W6+晶体的禁带内出现了W的5d施主能态,这说明CdMoO4晶体受激发后出现的峰值在550 nm（2.25e V）的发射带与晶体中的钨类施主离子有关,合理地解释了CdMoO4晶体在500600 nm区间的发射带的起源。

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期刊信息
  • 《人工晶体学报》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国建材工业协会
  • 主办单位:中国硅酸盐学会 晶体生长与材料专业委员会 中材人工晶体研究院
  • 主编：余明清
  • 地址：北京市733信箱
  • 邮编：100018
  • 邮箱：
  • 电话：010-65492963 65492968 65493320
  • 国际标准刊号：ISSN：1000-985X
  • 国内统一刊号：ISSN：11-2637/O7
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 1997年获国家科技优秀期刊,获部级优秀科技期刊奖,中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:9943