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Uniformity investigation in 3C-SiC epitaxial layers grown on Si substrates by horizontal hot-wall CV
ISSN号:0253-4177
期刊名称:半导体学报
时间:0
页码:1-4
语言:中文
相关项目:3C-SiC自支撑衬底及其金属氧化物场效应晶体管(MOSFETs)研究
作者:
Liu, Xingfang|Zhao, Yongmei|Wang, Lei|Luo, Muchang|Zeng, Yiping|Sun, Guosheng|Li, Jiaye|Zhao, Wanshun|Li, Jinmin|
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