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Effect of mesa structures on the responsivities of 4H-SiC photodetectors
  • ISSN号：0253-4177
  • 期刊名称：半导体学报
  • 时间：0
  • 页码：579-582
  • 语言：中文
  • 相关项目：3C-SiC自支撑衬底及其金属氧化物场效应晶体管（MOSFETs）研究
作者： Zhao, Wanshun|Li, Jinmin|Sun, Guosheng|Li, Jiaye|Zhao, Yongmei|Zeng, Yiping|Wang, Lei|Ning, Jin|Liu, Xingfang|Luo, Muchang|
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