位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
Heteroepitaxial growth of 3C-SiC films on maskless patterned silicon substrates
  • ISSN号：0253-4177
  • 期刊名称：半导体学报
  • 时间：0
  • 页码：1254-1257
  • 语言：中文
  • 相关项目：3C-SiC自支撑衬底及其金属氧化物场效应晶体管（MOSFETs）研究
作者： 赵万顺|Sun, Guosheng|宁瑾|Li, Jinmin|王雷|Zhao, Yongmei|Zhao, Wanshun|李晋闽|赵永梅|Liu, Xingfang|Wang, Lei|Ning, Jin|刘兴昉|孙国胜|
同期刊论文项目
3C-SiC自支撑衬底及其金属氧化物场效应晶体管（MOSFETs）研究
期刊论文 10 会议论文 6 专利 6
同项目期刊论文
Si基SiC微通道及其制备工艺
Laterally electrostatically driven poly 3C-SiC folded-beam resonant microstructures
Effect of mesa structures on the responsivities of 4H-SiC photodetectors
Mechanism of thermal oxidation of 3C-SiC grown on Si
Fast epitaxy of 3C-SiC grown on Si substrate
Uniformity investigation in 3C-SiC epitaxial layers grown on Si substrates by horizontal hot-wall CV
Multi-wafer 3C-SiC heteroepitaxial growth on Si（100） substrates