中文摘要：

碳化硅是一种具有极其优异性能的宽禁带半导体材料，在碳化硅的所有多形体中，立方相的 SiC(3CSiC)具有最佳的电学性质，但是由于缺乏体单晶的衬底限制了这种材料在电子器件和传感器的进展。本项目旨在开发一种低缺陷密度的3C-SiC 自支撑的衬底材料，其基本思想是首先对Si 衬底进行预先微纳加工表面改性的方法以实现3C-SiC 在Si 衬底上异质外延生长，然后将Si 衬底剥离形成3C-SiC自支撑衬底。为达到此目的，不仅需要在外延生长的机理方面探索新的方法及工艺以降低缺陷密度，还需要适当选择外延生长反应源气体，以达到快速生长均匀性良好的材料。最后，利用所获得的高性能3C-SiC 自支撑衬底，开展高性能3C-SiC MOSFET 器件的研究。本课题是当前国际研究热点，其顺利实施对于在我国开展SiC 极端电子学研究具有理论创新和重大实用价值。