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Mechanism of thermal oxidation of 3C-SiC grown on Si
  • ISSN号：0253-4177
  • 期刊名称：半导体学报
  • 时间：0
  • 页码：95-98
  • 语言：中文
  • 相关项目：3C-SiC自支撑衬底及其金属氧化物场效应晶体管（MOSFETs）研究
作者： Liu, Xingfang|Luo, Muchang|Li, Jinmin|Sun, Guosheng|Zhao, Wanshun|Li, Jiaye|Zhao, Yongmei|Wang, Lei|
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