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Research on reverse recovery characteristics of SiGeC p-i-n diodes
  • ISSN号：1674-1056
  • 期刊名称：《中国物理B：英文版》
  • 时间：0
  • 分类：O41[理学—理论物理;理学—物理] O47[理学—半导体物理;理学—物理]
  • 作者机构：[1]Department of Electronic Engineering, Xi' an University of Technology, Xi'an 710048, China
  • 相关基金：Project supported by the National Natural Science Foundation of China （Grant No 50477012）, the Foundation of Excellent Doctoral Dissertation of Xi＇an University of Technology and the Specialized Research Fund for the Doctoral Program of Higher Education of China （Grant No 20050700006）.
作者： 高勇[1], 刘静[1], 杨媛[1]
关键词： 理论物理, 计算机仿真, 功率二极管, 半导体, 物理学, SiGeC, softness factor, thermal-stability, lifetime control
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期刊信息
  • 《中国物理B：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会和中国科学院物理研究所
  • 主编：欧阳钟灿
  • 地址：北京 中关村 中国科学院物理研究所内
  • 邮编：100080
  • 邮箱：
  • 电话：010-82649026 82649519
  • 国际标准刊号：ISSN：1674-1056
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5639/O4
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 国内外数据库收录:
  • 被引量:406