位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
A super junction SiGe low-loss fast switching power diode
  • ISSN号：1674-1056
  • 期刊名称：《中国物理B：英文版》
  • 时间：0
  • 分类：TN31[电子电信—物理电子学] O44[理学—电磁学;理学—物理]
  • 作者机构：[1]Department of Applied Physics, Xi'an University of Technology, Xi'an 710048, China, [2]Department of Electronics Engineering, Xi ' an University of Technology, Xi'an 710048, China
  • 相关基金：Project supported by the National Natural Science Foundation of China （Grant No 50477012）, the Doctoral Program Foundation of Institutes of Higher Education of China （Grant No 20050700006） and the Special Scientific Research Program of the Education Bureau of Shaanxi Province, China （Grant No 05JK268）.
作者： 马丽[1], 高勇[2]
关键词： PN结, 二级管, 电子学, 半导体技术, super junction, SiGe diode, fast switching, low-loss
中文摘要：

E-mail： mali@xaut.edu.cn

同期刊论文项目
快速软恢复SiGeC/Si异质结功率二极管的研究
期刊论文 20 会议论文 2
同项目期刊论文
A Novel Ideal Ohmic Contact Si
SiGeC合金材料物理特性研究进展
SiGe SOI CMOS特性分析与优化设
大功率低功耗快速软恢复SiGeC功
SiGe Ultra Fast and Soft Recov
SiGeC/Si异质结二极管特性分析与
SiGeC异质结功率二极管通态特性
SiGeC/Si功率二极管的数值模拟与
快速软恢复SiGe功率开关二极管的
半超结SiGe高压快速软恢复开关二极管
大功率低功耗快速软恢复SiGeC功率开关二极管
一种新型渐变掺杂理想欧姆接触SiGeC／Si功率二极管
SiGeC/Si功率二极管的数值模拟与分析
SiGeC／Si异质结二极管特性分析与优化设计
SiGeC异质结功率二极管通态特性研究
掺碳SiGe二极管反向阻断特性模拟与机理分析
超低漏电流超快恢复SiGeC功率二极管研究
Research on reverse recovery characteristics of SiGeC p-i-n diodes
期刊信息
  • 《中国物理B：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会和中国科学院物理研究所
  • 主编：欧阳钟灿
  • 地址：北京 中关村 中国科学院物理研究所内
  • 邮编：100080
  • 邮箱：
  • 电话：010-82649026 82649519
  • 国际标准刊号：ISSN：1674-1056
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5639/O4
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 国内外数据库收录:
  • 被引量:406