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Total dose ionizing radiation effects in the indium-zinc oxide thin-film transistors
  • ISSN号：0741-3106
  • 期刊名称：IEEE Electron Device Letters
  • 时间：2014.3.15
  • 页码：369-371
  • 相关项目：双极型器件的低剂量率辐射损伤机理与加速试验研究
作者： En Yun-Fei|Wang Lei|Lei Zhi-Feng|Wang Xiao-Han|
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