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Low Frequency Noise and Radiation Response in the Partially Depleted SOI MOSFETs with Ion Implanted
  • ISSN号：1674-1056
  • 期刊名称：Chinese Physics B
  • 时间：2015.8.15
  • 页码：-
  • 相关项目：双极型器件的低剂量率辐射损伤机理与加速试验研究
作者： Wang Xin|En Yun-Fei|Li Bin|Lu Yu-Dong|
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双极型器件的低剂量率辐射损伤机理与加速试验研究
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期刊信息
  • 《中国物理B：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会和中国科学院物理研究所
  • 主编：欧阳钟灿
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  • 国际标准刊号：ISSN：1674-1056
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5639/O4
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