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双极型器件的低剂量率辐射损伤机理与加速试验研究
  • 项目名称：双极型器件的低剂量率辐射损伤机理与加速试验研究
  • 项目类别：青年科学基金项目
  • 批准号：61204112
  • 申请代码：F040604
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：2013-01-01-2015-12-31
  • 项目负责人：刘远
  • 依托单位：工业和信息化部电子第五研究所
  • 批准年度：2012
中文摘要：

低剂量率辐射损伤增强效应（ELDRS）是双极型器件与线性电路在空间极端环境下所面临最严重的可靠性问题之一。本项目拟建立一种既反映双极型器件的低剂量率辐射效应、又相对节省机时和费用的高剂量率加速试验方法。本项目首先拟通过研究双极型器件的低剂量率辐射损伤机理，在考虑氧化层内电子-空穴对各类复合反应的基础上，改良两级氢分子模型，对各种剂量率环境下辐射诱生界面态进行数值仿真并建立相关的解析模型；基于该模型，合理定义双极型器件的ELDRS转换剂量率并建立计算模型。其二，对样品进行前期掺氢处理以提高其转换剂量率；基于转换剂量率模型选择合适的辐射剂量率，由此在高剂量率地面环境下模拟与评估器件在低剂量率空间环境下的辐射损伤效应。最后，基于从器件级到电路级的计算机仿真，对双极线性电路的辐射效应进行数值模拟与敏感性分析，确定其辐射敏感电学参数与敏感模块，为集成电路抗辐射加固设计提供理论基础。

中文主题词： 双极型器件；线性电路；总剂量辐照效应；低剂量率辐照损伤增强效应；
结论摘要：

英文主题词bipolar device；linear circuit；total ionizing dose radiation effect；enhanced low dose rate sensitivity；

成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
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期刊论文
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双极型电压比较器的强电磁脉冲效应
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电离辐射对部分耗尽绝缘体上硅器件低频噪声特性的影响
双极型器件的总剂量辐射效应与损伤机理
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集成电路单粒子瞬态效应与测试方法
铟锌氧化物薄膜晶体管局域态分布的提取方法
总剂量辐照对热载流子效应的影响研究
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典型卫星轨道辐射环境及在轨软错误率预计模型分析
会议论文
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Bias dependence of dose rate effects in the irradiated substrate PNP transistors
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Effect of bias dependence of substrate NPN transistor on total dose irradiation
Transient Current Pulse Effects of Bipolar Voltage Comparator
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Total dose induced bias current variation in the LM124 operational amplifier with Different Bias
Ionizing radiation induced leakage current in the PD-SOI devices with different layout structures
Experiment and numerical simulation of total dose effects in the substrate PNP transistors
刘远的项目
铟锌氧化物薄膜晶体管的低频噪声特性及其可靠性应用
期刊论文 3