中文摘要：

采用不同厚度的聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）作为栅绝缘层，制备了并五苯有机场效应晶体管（OFET）。测量了不同厚度的PMMA的介电特性，并详细分析了栅绝缘层厚度对器件性能的影响。其中，采用260nm厚的PMMA栅绝缘层的OFET具有比采用其它厚度的器件更优越的性能，其场效应迁移率、阈值电压与开关电流比分别达到3．39×10^-3cm2／Vs、-19V和10^3。

英文摘要：

Pentacene-based organic field effect transistors （OFETs） using various thicknesses of poly （methyl methacrylate） （PMMA） as gate dielectric have been fabricated. The dielectric properties of PM- MA layer are investigated and the effects of the insulator thickness on the performance of the devices are analyzed in detail. The OFET devices based on 260 nm-thick PMMA gate dielectric exhibit preferable performance and possess a field-effect mobility of 3.39 × 10^-3 cm^2 /Vs, a threshold voltage of -19 V, and an on/off current ratio of 103.