欢迎您!
东篱公司
退出
申报数据库
申报指南
立项数据库
成果数据库
期刊论文
会议论文
著 作
专 利
项目获奖数据库
位置:
成果数据库
>
期刊
> 期刊详情页
The influence of modified electrodes by V2O5 film on the performance of ambipolar organic field-effe
ISSN号:1000-3290
期刊名称:Acta Physica Sinica
时间:2012.11.11
页码:1-6
相关项目:新型底栅垂直和双连续相异质结的有机发光场效应管研究
作者:
Zhao Geng|Cheng Xiao-Man|Tian Hai-Jun|Du Bo-Qun|Liang Xiao-Yu|Wu Feng|
同期刊论文项目
新型底栅垂直和双连续相异质结的有机发光场效应管研究
期刊论文 23
会议论文 1
专利 3
同项目期刊论文
Enhanced performance of C_(60) N-type organic field-effect transistors using a pentacene passivation
Improved Performance of Pentacene Organic Field-Effect Transistors by Inserting a V2O5 Metal Oxide L
The nonlinear optical properties of HBI in different solvents
Two-photon-induced intramolecular excited-state proton transfer process and nonlinear optical proper
基于垂直结构的有机光发射晶体管制备与性能研究
Performance Improvement of Ambipolar Organic Field Effect Transistors by Inserting a MoO3 Ultrathin
Enhanced performance of C60 organic field effect transistors using a tris(8-hydroxyquinoline) alumin
Fabrication and characteristics of permeable-base organic transistors based on co-evaporated pentace
C_(60)场效应晶体管的制备及修饰层对器件性能影响的研究
Nonlinear refraction and nonlinear absorption of CdSe0.3S0.7/ZnS quantum dots
Optical nonlinearity of HBI in different solvents
High Performance Polymer Field-Effect Transistors Based on Thermally Crosslinked Poly(3-hexylthiophe
聚合物栅绝缘层厚度对并五苯有机场效应管性能的影响
旋涂速度对制备P3HT有机场效应晶体管性能的影响(英文)
衬底加热和电极修饰对提高有机场效应晶体管性能的影响
基于有限元方法的有机场效应晶体管特性模拟与实验验证
基于蛋清栅绝缘层的高性能C60有机场效应晶体管(英文)
C60场效应晶体管的制备及修饰层对器件性能影响的研究
V2O5电极修饰对C60/Pentacene双层异质结场效应晶体管性能的影响
Enhanced performance of C_(60) N-type organic field-effect transistors using a pentacene passivation layer
Performance enhancement of pentacene-based organic field-effect transistor by inserting a WO3 buffer layer
Enhanced performance of C60 organic field effect transistors using a tris(8-hydroxyquinoline) aluminum buffer layer
期刊信息
《物理学报》
北大核心期刊(2011版)
主管单位:中国科学院
主办单位:中国物理学会 中国科学院物理研究所
主编:欧阳钟灿
地址:北京603信箱(中国科学院物理研究所)
邮编:100190
邮箱:apsoffice@iphy.ac.cn
电话:010-82649026
国际标准刊号:ISSN:1000-3290
国内统一刊号:ISSN:11-1958/O4
邮发代号:2-425
获奖情况:
1999年首届国家期刊奖,2000年中科院优秀期刊特等奖,2001年科技期刊最高方阵队双高期刊居中国期刊第12位
国内外数据库收录:
美国化学文摘(网络版),荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国科学引文索引(扩展库),英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
被引量:49876