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基于CNFET的低功耗三值门电路设计
  • ISSN号:1001-2400
  • 期刊名称:《西安电子科技大学学报》
  • 时间:0
  • 分类:TP311.2[自动化与计算机技术—计算机软件与理论;自动化与计算机技术—计算机科学与技术]
  • 作者机构:[1]宁波大学电路与系统研究所,浙江宁波315211
  • 相关基金:国家自然科学基金(61234002);浙江省自然科学基金(Z1111219).
中文摘要:

通过对碳纳米场效应晶体管(Carbon Nanotube Field Effect Transistor, CNFET)的研究,提出一种基于CNFET的低功耗三值门电路设计方案.该方案在分析CNFET结构及其不同尺寸的碳纳米管对应于不同阈值电压特性的基础上,以多值逻辑理论为指导,设计基于CNFET的三值反相器、与非门、或非门等单元门电路,最后利用HSPICE对所设计的电路进行仿真.结果表明:所设计电路具有正确的逻辑功能,与传统三值门电路相比,三值CNFET门电路平均传输速度提高52.7%,平均能耗节省54.9%.

英文摘要:

By investigating the Carbon Nanotube Field Effect Transistor (CNFET), this paper proposes a design scheme of low power ternary CNFET gate circuit. The structure of CNFET and the various size of carbon nanotubes corresponding to the different threshold voltages are first analyzed, followed by designing ternary inverter, NAND gate, NOR gate and other unit gate circuit, all of which are implemented on the basis of multi-valued logic theory. Finally, HSPICE is used to simulate the circuit design. The results show that the designed circuits have expected logic functionality. Comparing with the traditional ternary gate circuit, the transmission speed of CNFET gate circuit increases on average by 52.7%, and energy is saved by 54.9%.

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期刊信息
  • 《西安电子科技大学学报》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中华人民共和国教育部
  • 主办单位:西安电子科技大学
  • 主编:廖桂生
  • 地址:西安市太白南路2号349信箱
  • 邮编:710073
  • 邮箱:xuebao@mail.xidian.edu.cn
  • 电话:029-88202853
  • 国际标准刊号:ISSN:1001-2400
  • 国内统一刊号:ISSN:61-1076/TN
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 曾13次荣获省部级优秀期刊荣誉和优秀编辑质量奖,2006年荣获首届中国高校优秀科技期刊奖
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘(网络版),荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:12591