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Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米晶体的掺杂研究进展
  • ISSN号:1671-4776
  • 期刊名称:微纳电子技术
  • 时间:0
  • 页码:405-409
  • 语言:中文
  • 分类:TN383[电子电信—物理电子学] TN304.25[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构:[1]南开大学物理科学与技术学院,天津300071, [2]绍兴文理学院光电材料研究所,浙江绍兴312000
  • 相关基金:国家自然科学基金资助项目(60776004);浙江省新苗计划项目(2008R40G2180006)
  • 相关项目:II-VI族半导体纳米晶体的掺杂特性研究
中文摘要:

介绍了Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米晶体的掺杂技术和几种典型的掺杂工艺;综述了掺杂对半导体纳米晶体的光、电特性的影响;列举了近几年掺杂技术取得的研究成果;重点阐述了现阶段利用胶体法进行半导体纳米晶体掺杂的掺杂机理、以及掺杂效率所存在的问题。引进新型掺杂理论——动力学理论,该模型忽略了扩散作用的影响,重点讨论杂质在纳米晶体表面的驻留情况,可以有效解释Ⅱ-Ⅵ族纳米半导体的掺杂机理,提高掺杂浓度。最后,对其未来的发展方向进行了展望,指出开创新型掺杂理论、研发实用化掺杂工艺以及拓展应用领域是未来Ⅱ-Ⅵ族纳米半导体的主要研究方向。

英文摘要:

Some typical doping methods and technics of Ⅱ-Ⅵ group semiconductor nanocrystals are presented.The effects of doping on the optical and electronic characteristics of the semiconductor nanocrystals are reviewed,and the successful researches of doping technologies in recent years are presented.The doping theories and addressed some questions in the doping process of nanocrystals are desribed.A new doping theory which is a simple model of doping based on kinetics is given,in which diffusion is negligible but the surface situation of nanocrystals in doping process is more important.By the model,the diping theories of Ⅱ-Ⅵ group semiconductor nanocrystals can be proved effectively and the doping efficiency is increased.At last,the deve-lopment of Ⅱ-Ⅵ group semiconductor nanocrystals is described and it is pointed that new doping theory,more practical doping technics and applications will be the leading research in the future.

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期刊信息
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  • 国际标准刊号:ISSN:1671-4776
  • 国内统一刊号:ISSN:13-1314/TN
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  • 获奖情况:
  • 2002-2003和2003-2004年度,均获信息产业部电子科...,2005-2006年度获信息产业部电子科技期刊学术技术...,中国学术期刊执行(光盘版)检索与评价数据规范优...,2007-2008年度又荣获工业和信息化部电子科技期刊...
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版)
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