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A novel model of photo-carrier screening effect on the GaN-based p-i-n ultraviolet detector
  • ISSN号:1674-7348
  • 期刊名称:Science China: Physics, Mechanics and Astronomy
  • 时间:0
  • 页码:793-801
  • 相关项目:新型NdAlO3/SiO2 高k栅堆栈结构的实现与性能评估
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