位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
Ultraviolet-Visible Electroluminescence of a p-ZnO:As/n-Si Device Formed by the GaAs Interlayer Dopi
  • ISSN号：0256-307X
  • 期刊名称：Chinese Physics Letters
  • 时间：2011.10.10
  • 页码：1-3
  • 相关项目：ZnO基垂直腔面发射激光器制备及其关键科学问题研究
作者： Du Guo-Tong|Wang Hui|Zhao Yang|Wang Jin|Zhao Jian-Ze|Shi Zhi-Feng|Li Xiang-Ping|Liang Hong-Wei|Zhang Bao-Lin|
同期刊论文项目
ZnO基垂直腔面发射激光器制备及其关键科学问题研究
期刊论文 26 专利 4
同项目期刊论文
Improved quality of GaN epilayer grown on porous SiC substrate by in situ H-2 pre-treatment
Dominant UV emission from p-MgZnO/n-GaN light emitting diodes
Introducing Ga2O3 thin films as novel electron blocking layer to ZnO/p-GaN heterojunction LED
n-ZnO/p-GaN heterojunction light-emitting diodes with a polarization-induced graded-p-AlxGa1-xN elec
Band gap broadening and photoluminescence properties investigation in Ga2O3 polycrystal
Influence of N-2 and O-2 annealing treatment on the optical bandgap of polycrystalline Ga2O3:Cu film
Improvement of the quality of GaN epilayer by combining a SiNx interlayer and changed GaN growth mod
Improvement of crystal quality and UV transparence of dielectric Ga2O3 thin films via thermal anneal
Photofacilitated Controllable Growth of ZnO Films Using Photoassisted Metal Organic Chemical Vapor D
Rediscovery of the role of the i-layer in n-ZnO/SiO2/p-GaN through observations from both the ZnO an
High-performance ultraviolet-blue light-emitting diodes based on an n-ZnO nanowall networks/p-GaN he
SiN插入层对GaN外延膜应力和光学质量的影响(英文)
低温插入层对绿光LED的发光影响
喷淋头高度对InGaN/GaN量子阱生长的影响
衬底弯曲度对GaN基LED芯片性能的影响
MOCVD法生长Ga、P掺杂的ZnO薄膜
期刊信息
  • 《中国物理快报：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国科学院物理研究所、中国物理学会
  • 主编：
  • 地址：北京中关村中国科学院物理研究所内（北京603信箱《中国物理快报》编辑部）
  • 邮编：100080
  • 邮箱：cpl@aphy.iphy.ac.cn
  • 电话：010-82649490 82649024
  • 国际标准刊号：ISSN：0256-307X
  • 国内统一刊号：ISSN：11-1959/O4
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 中国期刊方阵“双高”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,美国数学评论（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国剑桥科学文摘,美国科学引文索引（扩展库）,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,英国英国皇家化学学会文摘
  • 被引量:190