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InP/GaAs异质键合界面的XPS研究
  • 期刊名称：谢生，陈松岩，毛陆虹等. InP/GaAs异质键合界面的XPS研究[J], 功能材料，2009,4:
  • 时间：0
  • 分类：O472.1[理学—半导体物理;理学—物理]
  • 作者机构：[1]天津大学电子信息工程学院,天津300072, [2]厦门大学物理系,福建厦门361005
  • 相关基金：国家自然科学基金资助项目（60736035）;天津大学青年教师培养基金资助项目（TJU-YFF-08B64）
  • 相关项目：新一代光网络中高速光信号处理的关键技术及器件研究
关键词： 晶片键合, X射线光电子谱, 磷化铟, 砷化镓, wafer bonding, XPS , InP , GaAs
中文摘要：

用直接键合技术在480℃实现了InP／GaAs真的异质键合，用X射线光电子谱研究了样品的界面化刺学态。研究分析表明，InP／GaAs样品在480℃的键合能过程中发生相互扩散（除P外），键合界面处形成了由InP、GaAs、InAs和GaP构成的中间过渡层，过渡层厚。度约为6nm。

英文摘要：

The bonded InP/GaAs wafers prepared by direct wafer bonding at 480℃ have been investigated by X- ray photoelectron spectroscopy. The experimental results indicate that InP and GaAs diffused into each other except phosphorus,and an interlayer composed of InP, GaAs, InAs and GaP exists between GaAs and InP wafers.

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