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Defects in Electron Irradiation Te-doped GaSb Studied by Positron Lifetime Spectroscopy
  • ISSN号:0255-5476
  • 期刊名称:Materials Science Forum
  • 时间:0
  • 页码:140-142
  • 语言:英文
  • 相关项目:用高分辨数字式正电子寿命谱研究AlN、ZnO等半导体中的缺陷
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