位置:成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
The reactive ion etching characteristics of AlGaN/GaN SLs and etch-induced damage of n-GaN using Cl2
  • 时间:0
  • 相关项目:GaN基光子晶体及其在提高发光器件出光效率中的应用
同期刊论文项目
同项目期刊论文