欢迎您！东篱公司
退出
-
申报数据库
-
立项数据库
-
成果数据库
-
项目获奖数据库
中文摘要：
用AFM在单晶硅片（100）表面上加工出一微结构表面，而且加工过程中单晶硅的表面生成很薄的二氧化硅保护层，使其置于氢氧化钾溶液中刻蚀加工可得到微结构（长×宽：10μm×10μm）。加工过程中利用二氧化硅和单晶硅与氢氧化钾溶液化学反应速率的不同，以及单晶硅不同晶面与氢氧化钾溶液反应速率的各向异性达到加工目的，并应用化学键理论—能带理论对在KOH水溶液中加工反应的机理进行了分析。
英文摘要：
AFM is used for forming silicon dioxide as a layer （mask） on the silicon wafer surface （100） during the cutting process in ambient atmosphere. The silicon dioxide is made through reaction of silicon and oxygen in the atmosphere. As a result of the anisotropic behavior of single crystalline silicon, the etching rates in alkaline solutions depend greatly on the various crystal orientations. The etching mechanism - electrochemistry modem is described in KOH solutions.
同期刊论文项目
同项目期刊论文
期刊信息
位置：