位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
Three-dimensional simulation of fabrication process-dependent effects on single event effects of SiGe heterojunction bipolar transistor
  • ISSN号：1674-1056
  • 期刊名称：《中国物理B：英文版》
  • 时间：0
  • 分类：TN325.3[电子电信—物理电子学] V443[航空宇航科学与技术—飞行器设计;航空宇航科学技术]
  • 作者机构：[1]School of Aerospace Science and Technology, Xidian University, Xi' an 710126, China, [2]School of Energy and Power Engineering, Xi'an jiaotong University, Xi'an 710049, China, [3]Northwest Institution of Nuclear Technology, Xi'an 710024, China
  • 相关基金：the National Natural Science Foundation of China （Grant Nos. 61274106, 11175138, and 61601352）.
作者： 张晋新[1], 贺朝会[2], 郭红霞[3], 李培[2], 郭宝龙[1], 吴宪祥[1]
关键词： SIGE异质结双极晶体管, 单粒子效应, 三维模拟, 硅锗异质结双极晶体管, 工艺过程, 瞬态电流, 掺杂浓度, CAD模拟, SiGe HBT, single event effects, fabrication process dependence, 3D simulation
中文摘要：

Corresponding author. E-mail： hechaohui@mail.xjtu.edu.cn

同期刊论文项目
SiGe HBT单粒子效应电荷收集机制及其关键影响因素研究
期刊论文 7
超深亚微米SOI器件的重离子单粒子效应新机理研究
期刊论文 16 会议论文 1
基于自适应动态链的多模态目标跟踪WSN优化方法研究
期刊论文 1
同项目期刊论文
Si SOI微剂量探测器电荷收集特性数值模拟
Evolution of atoms with special coordination number in beta-SiC with temperature
Hot carrier effect on thebipolar transistors’ response to electromagnetic interference
Preliminary studies on the emulation of 14 MeV neutron irradiationin SiCwith heavy ions
Re-evaluationof neutron displacement cross sections for silicon carbide by a Monte Carloapproach
Analysis of primary damage in silicon carbide
不同偏置影响锗硅异质结双极晶体管单粒子效应的三维数值仿真研究
Soft error reliability in advanced CMOS techn
Modeling of long-term defect evolution in heavy-ion irradiated 3C-SiC: Mechanism for thermal anneal
超低泄漏电流二极管单粒子位移损伤电流计算
Kineticsof single particle displacement damage in silicon
The role of point defectsin the swelling and elastic modulus of irradiated cubic silicon carbide
Hot carrier effect on asingle SiGe HBT's EMI response
硅单粒子位移损伤多尺度模拟研究
不同偏置影响锗硅异质结双极晶体管单粒子效应的三维数值仿真研究
不同偏置影响锗硅异质结双极晶体管单粒子效应的三维数值仿真研究
不同偏置影响SiGeHBT剂量率效应数值模拟
锗硅异质结双极晶体管单粒子效应加固设计与仿真
重离子导致的锗硅异质结双极晶体管单粒子效应电荷收集三维数值模拟
3-D simulation of angled strike heavy-ion induced charge collection in silicon- germanium heterojunction bipolar transistors
An investigation of ionizing radiation damage in different SiGe processes
期刊信息
  • 《中国物理B：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会和中国科学院物理研究所
  • 主编：欧阳钟灿
  • 地址：北京 中关村 中国科学院物理研究所内
  • 邮编：100080
  • 邮箱：
  • 电话：010-82649026 82649519
  • 国际标准刊号：ISSN：1674-1056
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5639/O4
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 国内外数据库收录:
  • 被引量:406