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InP外延材料的MBE生长模式
  • ISSN号：1674-4926
  • 期刊名称：《半导体学报：英文版》
  • 时间：0
  • 分类：O472+.1[理学—半导体物理;理学—物理]
  • 作者机构：南开大学弱光非线性光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室,天津,300457 南开大学弱光非线性光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室,天津,300457 南开大学弱光非线性光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室,天津,300457, 中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083 中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083 南开大学弱光非线性光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室,天津,300457 南开大学弱光非线性光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室,天津,300457 中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083 南开大学弱光非线性光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室,天津,300457, 中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083
  • 相关基金：天津市应用基础研究基金(批准号:06YFJZJC01100)及国家自然科学基金(批准号:60476042)资助项目Project supported by the Applied Basic Study Foundation of Tianjin (No.06YFJZJC01100) and the National Natural Science Foundation of China (No.60476042)
作者： 皮彪, 舒永春, 林耀望, 徐波, 姚江宏, 邢晓东, 曲胜春, 王占国
关键词： 固态源分子束外延, INP, 生长模式
中文摘要：

采用固态磷源分子束外延技术,在不同的生长条件下生长了InP外延材料,并用原子力显微镜对样品表面形貌进行了系统研究.实验结果表明,样品表面形貌的显著变化与生长模式发生变化有关;二维(2D)生长模式和三维(3D)生长模式之间存在转换的临界工艺条件.通过对实验数据的分析,绘制了InP外延生长模式对应工艺条件的区域分布图;在2D生长区域获得了高质量的InP/InP外延材料.

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期刊信息
  • 《半导体学报：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国电子学会 中国科学院半导体研究所
  • 主编：李树深
  • 地址：北京912信箱
  • 邮编：100083
  • 邮箱：cjs@semi.ac.cn
  • 电话：010-82304277
  • 国际标准刊号：ISSN：1674-4926
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5781/TN
  • 邮发代号:2-184
  • 获奖情况:
  • 90年获中科院优秀期刊二等奖,92年获国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署...,97年国家科委、中共中央中宣传部和国家新出版署三等奖,中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,英国英国皇家化学学会文摘,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:7754