双轴应变下GaN有效质量的计算及其对迁移率的影响
- ISSN号:2095-1302
- 期刊名称:物联网技术
- 时间:2012.5
- 页码:29-33
- 相关项目:压电/GaN异质结构的电场-迁移率耦合效应研究
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