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F-离子注入实现的AlGaN/GaN增强型HEMT器件特性的模型分析
  • ISSN号：1563-4795
  • 期刊名称：电子元器件应用
  • 时间：2011
  • 页码：21-23+26
  • 相关项目：压电/GaN异质结构的电场-迁移率耦合效应研究
作者： 张旻|张继华|杨传仁|
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压电/GaN异质结构的电场-迁移率耦合效应研究
期刊论文 17
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期刊信息
  • 《电子元器件应用》
  • 主管单位:西安曲江三之联舒展有限公司
  • 主办单位:中国电子元件行业协会
  • 主编：张乃国
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  • 国际标准刊号：ISSN：1563-4795
  • 国内统一刊号：ISSN：
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  • 陕西省优秀科技期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 被引量:3164