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High quantum efficiency of depth grade doping negative-electron-affinity GaN photocathode
  • ISSN号：0003-6951
  • 期刊名称：Applied Physics Letters
  • 时间：0
  • 页码：1-3
  • 语言：英文
  • 相关项目：NEA GaN光电发射机理及其制备技术研究
作者： Guo, Xiangyang|Gao, Pin|Wang, Xiaohui|Zhang, Yijun|Chang, Benkang|
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