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单层MoS_2分子掺杂的第一性原理研究
  • ISSN号:1000-3290
  • 期刊名称:Acta Physica Sinica
  • 时间:2014.6.8
  • 页码:251-257
  • 分类:O621.22[理学—有机化学;理学—化学]
  • 作者机构:[1]中国计量学院光学与电子科技学院,杭州310018
  • 相关基金:国家自然科学基金(批准号:61006051,61177050); 浙江省大学生科技创新活动计划(批准号:2013R409016); 浙江省科技厅公益技术应用研究(批准号:2013C31068)资助的课题
  • 相关项目:基于纳米复合材料的梯度薄膜结构白光LED封装机理与关键技术研究
中文摘要:

基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法的计算,研究了通过吸附不同有机分子对单层MoS2进行化学掺杂.计算结果表明有机分子与MoS2单层衬底间的相互作用主要是范德瓦尔斯作用力.吸附不同有机分子的单层MoS2结构均表现出间接带隙的特征,还表明吸附TTF分子的单层MoS2结构表现出n型半导体的特质,而吸附TCNQ,TCNE两种分子的单层MoS2结构均表现出p型半导体的性质,这些结果表明可以通过改变吸附的分子来实现对单层MoS2的掺杂类型的调控.本文的研究结果将对单层MoS2在晶体管中的应用提供理论基础和指导.

英文摘要:

The chemical doping of organic molecules adsorbed on MoS2monolayers are systematically studied by using planewave pseudo-potential method based on the density functional theory. Our results indicate that the interaction between organic molecules and the MoS2monolayer substrate is of van der Waals' type of force. Structure of monolayer MoS2which adsorbs different organic molecules, exhibits indirect bandgap characteristics, and the energy band structure of monolayer MoS2which adsorbs TTF molecules exhibits n-type conducting characteristics. However, the structures of monolayer MoS2which adsorbs TCNQ or TCNE molecules would exhibit p-type conductivity characteristics. Thus, the results indicate that the doping type of molecules in monolayer MoS2can be regulated by adsorbing different molecules.Results of this study may providea theoretical basis for single-layer MoS2transistor and guidance for it in the application.

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期刊信息
  • 《物理学报》
  • 北大核心期刊(2011版)
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会 中国科学院物理研究所
  • 主编:欧阳钟灿
  • 地址:北京603信箱(中国科学院物理研究所)
  • 邮编:100190
  • 邮箱:apsoffice@iphy.ac.cn
  • 电话:010-82649026
  • 国际标准刊号:ISSN:1000-3290
  • 国内统一刊号:ISSN:11-1958/O4
  • 邮发代号:2-425
  • 获奖情况:
  • 1999年首届国家期刊奖,2000年中科院优秀期刊特等奖,2001年科技期刊最高方阵队双高期刊居中国期刊第12位
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘(网络版),荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国科学引文索引(扩展库),英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:49876