位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
First-Principles Studies for t
  • 时间：0
  • 相关项目：氮化铟基化合物半导体量子结构研究
作者： 危书义，闫玉丽，夏从新，刘广生
同期刊论文项目
氮化铟基化合物半导体量子结构研究
期刊论文 65
同项目期刊论文
The Surfactant Effects of Au o
Hydrogenic impurity states in
Bulit-in electric field effect
Quantum size effect on exciton
Hydrogenic impurity in zinc-bl
Electron-phonon interaction in
S钝化InN(001)面第一性原理研究
Resistivity and critical tempe
Al含量对GaN/AlxGaN1-xN量子点中
类氢杂质对InxGa1-xN/ GaN量子点
Exciton states and interband o
纤锌矿GaN/ZnO 量子阱中的界面声
氮化铟(0001)干净和缺陷表面结构
Si低指数面氢吸附第一性原理研究
内建电场对纤锌矿InxGa1-xN/GaN
Cu对O在ZnO（0001）面上吸附影响
应变GaN量子点中激子态的研究
Si（001）表面In量子线的第一原
耦合GaN/AlxGa1-xN量子点的非线
La1-xAgxMnO3和La1-xNaxMnO3的对
氮化铟（0001）面氧吸附研究
Dispersion of the quasi-confin
The Effect of Cu on O Adsorpti
Exciton in wurtzite GaN/AlxGa1
有轨道简并的双交换模型的光导和
6H-SiC(0001)衬底结构对GaN膜结
Transfer Matrix Method for Ele
Built-in electric field effect
内建电场对GaN/AlGaN单量子点发
GaN/AlxGa1-xN量子点中类氢杂质
Generalization of the ITP+CPA
Influence of the built-in elec
ZnO/MgZnO单量子点内的激子态和
有库仑作用的双交换铁磁体的动力
Adsorption?of?Ag?on?Si(100)?su
Ab initio study of indium quan
Structural properties of oxyge
Hydrogenic donor states in wur
Localized Exictions in Self-As
基于LQR技术的直流电动机转速控制设计
黏性微粒液滴气溶胶间在引力场中的碰并
空位和B掺杂对Si在石墨烯上吸附的影响
H吸附诱发ZnO（101^-0）表面的金属化
表面缺陷对氧在InN（0001）上吸附的第一原理研究
内建电场对GaN/AlGaN单量子点发光性质的影响
耦合GaN/AlxGa1-xN量子点的非线性光学性质
耦合ZnO/MgxZn1-xO量子点中的激子态和带间光跃迁
Sn对O在ZnO(0001)面上吸附影响的第一原理研究
Pd对O吸附在ZnO(0001)面上的影响的第一性原理研究
（La1-xPrx）0.7Ca0．3MnO3族化合物的回滞效应的Monte Carlo模拟
Si低指数面氢吸附稳定性第一性原理研究
Si（001）表面In量子线的第一原理研究
Resistivity and critical temperature of （Lal-xPrx）0.7Ca0.3MnO3
Tl在Si（111）面吸附特性理论研究
类氢杂质对In_xGa_（1-x）N/GaN和GaN/Al_xGa_（1-x）N量子点中束缚激子态的影响
Cu对O在ZnO（0001）面上吸附影响的第一原理研究
内建电场对纤锌矿InxGa1-xN／GaN单量子点光学特性的影响
6H—SiC（0001）衬底结构对GaN膜结构的影响第一原理研究
氢原子在Si低指数表面吸附的第一原理研究