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溶胶凝胶制备氧化钒薄膜的生长机理及光电特性
  • ISSN号:1000-3290
  • 期刊名称:物理学报
  • 时间:2013.5.5
  • 页码:056802-
  • 分类:O484.1[理学—固体物理;理学—物理]
  • 作者机构:[1]电子科技大学光电信息学院,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054
  • 相关基金:国家自然科学基金(批准号:61071032)资助的课题.
  • 相关项目:太赫兹室温探测器的基础研究
中文摘要:

采用溶胶凝胶法,在不同的退火温度下制备了不同的氧化钒薄膜.利用扫描电子显微镜、x射线衍射仪、高阻仪、紫外一可见分光光度计和傅里叶红外光谱仪等,对薄膜的形貌、晶态、电学和光学特性进行了分析.结果表明,溶胶凝胶法获取V205薄膜的最佳退火温度为430℃,低于此温度不利于使有机溶剂充分分解,高于此温度则V-O键发生裂解、形成更多的低价态氧化钒.本文制备的氧化钒薄膜具有较高的电阻温度系数和光吸收率,适合应用在非制冷红外探测器中.本文揭示了溶胶凝胶法制备氧化钒薄膜的生长机理.

英文摘要:

Vanadium oxide films are prepared by Sol-Gel at different annealing temperatures. Their surface morphologies, valence states, electrical and optical properties are characterized by SEM, XRD, resistance meter, UV-Vis spectrometer and FTIR, respectively. Re- suits reveal that the optimal temperature for producing V205 films by Sol-gel is 430 ℃, the organics in the films cannot be decomposed completely below 430 ℃while the V-O bonds will be broken under a higher temperature (〉 430 ℃). The as-prepared vanadium pen- toxide films exhibit higher TCR and larger light absorption, so that they are suitable to be used as bolometric materials for uncooled infrared detectors. The growth mechanism of vanadium oxide film prepared by Sol-Gel is also presented in this paper.

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期刊信息
  • 《物理学报》
  • 北大核心期刊(2011版)
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会 中国科学院物理研究所
  • 主编:欧阳钟灿
  • 地址:北京603信箱(中国科学院物理研究所)
  • 邮编:100190
  • 邮箱:apsoffice@iphy.ac.cn
  • 电话:010-82649026
  • 国际标准刊号:ISSN:1000-3290
  • 国内统一刊号:ISSN:11-1958/O4
  • 邮发代号:2-425
  • 获奖情况:
  • 1999年首届国家期刊奖,2000年中科院优秀期刊特等奖,2001年科技期刊最高方阵队双高期刊居中国期刊第12位
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘(网络版),荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国科学引文索引(扩展库),英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:49876