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声表面波单电子输运器件频率响应特性的分析
  • 期刊名称:四川大学学报(自然科学版),2008,45(3),591-595
  • 时间:0
  • 分类:O424[理学—声学;理学—物理]
  • 作者机构:[1]四川大学物理科学与技术学院,成都610064, [2]中国测试技术研究院,成都610021, [3]四川师范大学物理学院低维结构物理实验室,成都610066
  • 相关基金:国家自然科学基金重点项目(60436010);国家科技支撑计划课题(2006BAF06B09) 致谢 修改前的P矩阵级联程序由日本Chiba大学Hashimoto教授提供,在此表示感谢!
  • 相关项目:行波电场作用下半导体低维纳米结构中的量子输运
中文摘要:

在GaAs/Al0.3Ga0.7As异质结上制作千兆赫兹的声表面波(SAW)单电子输运(SAWSET)器件,实验上利用网络分析仪测得了SAWSET器件的频率响应特性.借助耦合模理论和P矩阵级联算法,对SAW在SAWSET器件中的传播特性,尤其是对其频率响应进行了分析.结果表明理论计算值与实验符合较好.

英文摘要:

The surface-acoustic-wave(SAW) driving single-electron-transport (SAWSET) device with the frequency of gigahertz was fabricated on GaAs/Al0.3Ga0.7As heterostructure. Frequency response characteristic of SAWSET devices was obtained by using the network analyzer. Employing coupling of modes theory, with the help of P-matrix, we analyze the propagation performance of SAW in SAWSET devices. Especially, we calculate the frequency response of SAWSET devices. Excellent agreement between theory and measurement is found.

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