行波电场作用下半导体低维纳米结构中的量子输运-东篱科研大数据发现系统（DRDS）

位置：立项数据库 > 立项详情页

行波电场作用下半导体低维纳米结构中的量子输运

项目名称：行波电场作用下半导体低维纳米结构中的量子输运
项目类别：重点项目
批准号：60436010
申请代码：F040104
项目来源：国家自然科学基金
研究期限：2005-01-01-2008-12-31

项目负责人：高洁
负责人职称：教授
依托单位：四川大学
批准年度：2004

中文摘要：

在0.3K或0.03K的低温下，实验研究准一维量子线纳米结构中声表面波对单个电子的"搬运",寻求声电电流量子化为ef、2ef…的物理条件（e为电子电荷，f为声表面波频率）。研究砷化镓异质结二维电子气及电子浓度、迁移率对电流量子化的影响，设计和研制表面声波单电子输运（SAW/SET）器件。设计并研制叉指换能器及其在千兆赫频率的最佳传输特性。提出在0.3K和0.03K低温和强磁场下测量SAW/SET器件特性的方法，设计并完成低温、强磁场智能测量系统。研究量子点势垒位形对电流量子化坪台的影响；模拟并计算二维电子气中存在屏蔽作用时分裂门的电势分布，通过外加磁场改善电流量子化坪台的斜率并研究其物理机制；湿法刻蚀较长的准一维量子线，研究抑制背隧穿的物理过程。从理论上研究非绝热效应和电子-电子相互作用对声电电流的影响。研究SAW/SET用于量子电流基准的可行性和量子计算的可能性。

中文主题词：表面声波;量子化电流;单电子输运;砷化镓异质结;量子电流基准

成果综合统计