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MULTISTEP FINITE VOLUME APPROXIMATIONS TO THE TRANSIENT BEHAVIOR OF A SEMICONDUCTOR DEVICE ON GENERAL 2D OR 3D MESHES
  • ISSN号：0254-9409
  • 期刊名称：《计算数学：英文版》
  • 时间：0
  • 分类：TN3[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：[1]School of Mathematics and Information Science, Yantai University, Yantai 264005, China
  • 相关基金：The research is partially supported by the National Natural Science Foundation of China （No. 10271066）.Acknowledgment. The author is very grateful to the referee for the constructive comments.
作者： Min Yang[1]
关键词： 半导体器件, 无组织网孔, 有限容量, 多步法, 误差估计, 瞬时性态, Semiconductor device, Unstructured meshes, Finite volume, Multistep method,Error estimates.
中文摘要：

在这篇论文，我们考虑半导体设备的一个水动力学模型。近似答案被一个混合有限体积方法为潜在的方程获得并且多为集中方程走迎风的有限体积方法。在一些分离标准的错误估计在准确答案上在一些整齐假设下面被导出。数学题目分类：65N30， 65M25。

英文摘要：

In this paper, we consider a hydrodynamic model of the semiconductor device. The approximate solutions are obtained by a mixed finite volume method for the potential equation and multistep upwind finite volume methods for the concentration equations. Error estimates in some discrete norms are derived under some regularity assumptions on the exact solutions.

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期刊信息
  • 《计算数学：英文版》
  • 主管单位:
  • 主办单位:中国科学院数学与系统科学研究院
  • 主编：
  • 地址：北京2719信箱
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  • 国际标准刊号：ISSN：0254-9409
  • 国内统一刊号：ISSN：11-2126/O1
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  • 中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 美国数学评论（网络版）,德国数学文摘,荷兰文摘与引文数据库,美国科学引文索引（扩展库）,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库
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