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高调制频率GaN基单芯片无荧光粉白光LED的研究
  • 项目名称:高调制频率GaN基单芯片无荧光粉白光LED的研究
  • 项目类别:青年科学基金项目
  • 批准号:61204054
  • 申请代码:F040301
  • 项目来源:国家自然科学基金
  • 研究期限:2013-01-01-2015-12-31
  • 项目负责人:路慧敏
  • 依托单位:北京大学
  • 批准年度:2012
中文摘要:

随着GaN基白光LED逐渐趋于成熟并进入实用化阶段,可以与照明功能同时实现的可见光通信技术迅速受到广泛关注。然而由于目前应用的照明LED调制频率低,导致可见光通信系统无法进行高速率传输,现在急需探索能够同时满足照明和通信需求的新型LED光源。本项目拟采用GaN基非规则多量子阱结构,实现具有高调制频率的单芯片无荧光粉白光LED。首先建立分别用于分析GaN基多量子阱结构光谱特性和调制特性的理论模型和数值计算程序。应用该仿真程序分析各种设计参数对GaN基非规则多量子阱结构的光谱和调制特性的影响规律。根据这些影响规律并结合实验,对设计参数进行联合优化,得出既具有优良色温及显色指数,同时也具有较快响应时间的GaN基非规则多量子阱结构的设计方案。实验研制基于所得设计方案的具有高调制频率的GaN基单芯片无荧光粉白光LED。

结论摘要:

英文主题词GaN;white LED;visible light communication;modulation frequency;


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