基于器件物理的射频石墨烯场效应管集约模型研究-东篱科研大数据发现系统（DRDS）

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基于器件物理的射频石墨烯场效应管集约模型研究

项目名称：基于器件物理的射频石墨烯场效应管集约模型研究
项目类别：青年科学基金项目
批准号：61204096
申请代码：F040407
项目来源：国家自然科学基金
研究期限：2013-01-01-2015-12-31

项目负责人：常胜
依托单位：武汉大学
批准年度：2012

中文摘要：

石墨烯场效应管（GFET）作为新型纳米电子器件在射频领域有广泛的应用前景。其制备和材料物性分析已火热展开，但对器件的工作机理及可用于电路设计的集约模型的研究尚十分缺乏。本项目拟从器件物理出发，对射频条件下GFET大信号准弹道工作机理做出理论研究；给出GFET特征参量的解析表达，建立射频集约模型；运用模型预测GFET性能，指导GFET应用电路设计。创新之处表现为 ①区别于现有的唯象描述，对GFET射频工作机理做出理论解释。通过对大信号条件下的载流子-声子相互作用、高频条件下接触电阻和界面电荷陷阱带来的短沟效应的研究，明晰器件性能与器件尺度间的物理关系。 ② 建立面向电路设计的射频GFET集约模型。不同于硅基器件的飘移扩散理论，以沟道势为核心参量建立量子解析流程；区别于现有的直流模型，建立射频集约模型，有效反映器件高频、大信号下的工作特性；模型与SPICE和ADS兼容，可指导电路设计。

中文主题词：石墨烯；场效应管；集约模型；神经网络；器件优化

结论摘要：

英文主题词graphene；field effect transistor；compact model；neural network；device optimization

成果综合统计