研究探索了一种具有掩模制备和直接刻制两种功能的纳米无掩模光刻方法并对其机理进行研究。该法基于具有30纳米超高分辨率的功能膜层结构,通过光刻获得所需纳米构造。新方法有许多优点〈1〉刻制速度(cm/s)远高于聚焦离子束和电子束刻蚀方法;〈2〉无须昂贵的设备,制作成本低;〈3〉可直接获得任意形状的、导电系数和耐热系数和耐热系数可调的纳米导体构造;<4>适用于下一代集成电路的全干生产。这种技术能被应用到很多领域,诸如纳米电极、纳米半导体器件等。
英文主题词maskless photolethograpy; super-resolution near-field film structure;bimaterial namo film structure; light-induce nano-structure