硅衬底微波集成电路舆线与无源元件的电特性研究-东篱科研大数据发现系统（DRDS）

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硅衬底微波集成电路舆线与无源元件的电特性研究

项目名称：硅衬底微波集成电路舆线与无源元件的电特性研究
项目类别：面上项目
批准号：69971015
申请代码：F010607
项目来源：国家自然科学基金
研究期限：2000-01-01-2002-12-01

项目负责人：毛军发
负责人职称：教授
依托单位：上海交通大学
批准年度：1999

中文摘要：

本项目利用三维时域有限差分法,对带聚酰亚胺绝缘层的硅衬底微波电路传输线进行了全波仿真 ,得到了频变分布电特性参数,总结和解析了聚酰亚胺绝缘层厚度及信号导体间距对传输线电特性影响的一些规律,并对传输线的电特性参数进行了实验测试。建立了硅衬底CMOS片上螺旋电感的等效传输线理论模型和实验数据拟合模型,得到了多层电感的第一个解析公式.对螺旋电感的品质因子进行了优化设计,在保持面积不变的前提下使品质因子明显提高.设计了一种新的MOS变容管,并用于RF压控振荡器,使其调谐范围,调谐曲线和噪声性能都得到改善.提出了一种电路分析的部分距阵消元法和一种新的变步长方案.对超导微波传输线的电特性进行了分析.

中文主题词：硅衬底微波电路 ,传输线与无源元件 ,电特性

结论摘要：

英文主题词Microwave circuits on Silicon Substrate,Transmission Lines and passive components,Electrical performance;

成果综合统计